China Silicon turnat pentru dispozitive miniaturizate Producători Furnizori de fabrici
Compania noastră implementează modernizarea echipamentelor, îmbunătățește calitatea funcționării echipamentelor și GE WAFER pentru optoelectronică, Procesarea imaginii cu semiconductor compus, Wafer pentru medii extreme calitate. Anii de dezvoltare au făcut compania noastră mai puternică și mai puternică. Am deținut cu succes propriul nostru departament de inspecție din fabrică și calitate, astfel încât să putem controla foarte bine calitatea produselor și putem oferi clienților prețuri competitive. Inginerii profesioniști ne permit să oferim clienților de înaltă calitateSilicon turnat pentru dispozitive miniaturizate . Subliniem contribuția noastră la consumatori, angajați și parteneri, precum și la mediu și societate și ne -am angajat în protecția mediului și la conservarea energiei și reducerea emisiilor. Insistăm să raportăm colectarea feedback -ului clienților și informațiile de piață pentru a solicita îmbunătățirea continuă a serviciului pentru clienți. Compania noastră are o forță tehnică puternică, o echipă de cercetare și dezvoltare, precum și un grup de elite de marketing cu experiență și echipa de gândire de gestionare a afacerilor. Gândim lucrurile prin, evaluăm riscurile și ascultăm toate părțile pentru a asigura succesul fiecărei decizii majore. Onestitatea este datoria noastră și baza managementului companiei. Ne -am angajat să oferim clienților noștri servicii și asistență inegalabile, asigurând succesul și creșterea acestora pe piața competitivă de astăzi.
-
![Wafer de siliciu cu 76 mm-300mm (3"-12")]()
Wafer de siliciu cu 76 mm-300mm (3"-12")Rezistența inițială a lingoului vârfului poate fi de 1,5 ori mai mare decât a cozii. Puteți dori dopaj ușor sau greu.Mai mult -
![Wafer de siliciu de 2 inchi (50,8 mm)]()
Wafer de siliciu de 2 inchi (50,8 mm)Thk. (μm): 280 ± 25 sau în funcție de cerințele clienților noștriMai mult
Rezistență: mai mare sau egală cu 0,001ohm.cm
Suprafață: Partea din față lustruită, partea din spate gravată (SSP) sau față... -
![Wafer de silicon de 3 inchi (76,2 mm)]()
Wafer de silicon de 3 inchi (76,2 mm)Orientare:<111>/<100>/<110>Mai mult
Thk. (μm): 280 ± 25 sau în funcție de cerințele clienților noștri
Rezistență: mai mare sau egală cu 0,001ohm.cm -
![Wafer de silicon de 4 inchi (100 mm)]()
Wafer de silicon de 4 inchi (100 mm)Nota: Prime/Notă de test/Notă de testMai mult
Creștere: CZ/FZ
Suprafață: Finisaj Partea față lustruită, partea din spate gravată./Față dublă lustruită -
![Wafer de silicon de 5 inchi (125 mm)]()
Wafer de silicon de 5 inchi (125 mm)Diametru: 125 mmMai mult
tip P și tip N, orientare:<110>/<111>/<100>
Rezistență: bazați pe cerințele clienților noștri. -
![Wafer de siliciu de 6 inchi (150 mm)]()
Wafer de siliciu de 6 inchi (150 mm)Particule: (mai mare sau egală cu 0.2um): Max 20eaMai mult
TTV: mai mic sau egal cu 5um
BOW & WARP: Mai puțin sau egal cu 30um -
![Wafer de silicon de 8 inchi (200 mm)]()
Wafer de silicon de 8 inchi (200 mm)Suprafața poate fi lustruită pe una sau ambele părți sau poate fi lăsată ca o felie de sârmă. 725 μm în grosime, sau după cum specificați.Mai mult
Controlul particulelor de suprafață este întotdeauna... -
![Vafer de siliciu Coinroll de 150 mm/200 mm/300 mm]()
Vafer de siliciu Coinroll de 150 mm/200 mm/300 mmNapolitanele de siliciu cunoscute sub numele de napolitane coinroll sunt împachetate într-un mod asemănător cu cel al monedelor într-o rolă. De obicei, acestea sunt livrate în cantități de 50–200...Mai mult -
![Wafer de siliciu gravat de 76 mm-300mm (3"-12")]()
Wafer de siliciu gravat de 76 mm-300mm (3"-12")Când căldură și substanțe chimice oxidante sunt aplicate pe o placă de siliciu, se creează un strat de dioxid de siliciu (SiO2). Acest proces este cunoscut sub numele de oxidare termică.Mai mult -
![Wafer epitaxial de dimensiuni mici]()
Wafer epitaxial de dimensiuni miciPlacile epitaxiale de patru inci, cinci inci și șase inci sunt exemple de plachete epitaxiale de dimensiuni mici.Mai mult -
![Wafer epitaxial de 8 inch și 12 inch]()
Wafer epitaxial de 8 inch și 12 inchUtilizați tehnica de depunere a epitaxiei în fază de vapori pentru a dezvolta cristale pe substrat, apoi aranjați-le într-un mod ordonat pe suprafața de cristal a substratului inferior.Mai mult -
![2"-8"SOI Wafer]()
2"-8"SOI WaferPlachetele cu siliciu pe izolator (SOI) oferă o soluție de producție care poate ajuta la reducerea puterii și a căldurii, crescând în același timp performanța de viteză a dispozitivului.Mai mult
Eric Miller
Aceste articole arată foarte bine, iar acest furnizor nu numai că se livrează rapid, dar are și un serviciu foarte atent după vânzare.
Melinda Brooks
Suntem impresionați de cât de bine organizată și eficientă este compania dvs. în tot ceea ce faceți.
Rickie Hopkins
Produsele dvs. sunt frumoase, elegante și la un preț rezonabil, suntem foarte fericiți să facem afaceri cu dvs. și dacă cooperarea are un mare succes, vom lua în considerare o cooperare pe termen
Ricky French
Produsele sunt de bună calitate, ne place foarte mult și le vom răscumpăra data viitoare.
Marta Ali
Deoarece trebuie să ne extindem linia de produse, trebuie să găsim un furnizor care să poată dezvolta produse strict în funcție de cerințele noastre, iar acest furnizor ne -a atins foarte bine
Katrina Glasscock
Sunteți „orientat către rezultate” și sunteți foarte intenționat în legătură cu toate.
Mai mult de 90% din noi placă pentru variația de orientare a cristalelor, Precision Pirolitic Nitru de bor, Procesare audio cu semiconductor compus sunt dezvoltate în mod independent și produse pentru a satisface cerințele vânzărilor directe din fabrică, care vă pot economisi costuri. Suntem cunoscuți ca unul dintre cei mai importanțisilicon turnat pentru dispozitive miniaturizate producători și furnizori din China. Vă rugăm să nu ezitați să cumpărați de înaltă calitatesilicon turnat pentru dispozitive miniaturizate la preț competitiv din fabrica noastră. Contactați -ne pentru servicii personalizate.